辽宁单片机晶振

设计考虑事项：1、使晶振、外部电容器(如果有)与IC之间的信号线尽可能保持短。当非常低的电流通过IC晶振振荡器时，如果线路太长，会使它对EMC、ESD与串扰产生非常敏感的影响。而且长线路还会给振荡器增加寄生电容。2、尽可能将其它时钟线路与频繁切换的信号线路布置在远离晶振连接的位置。3、当心晶振和地的走线4、将晶振外壳接地如果实际的负载电容配置不当，会引起线路参考频率的误差。另外如在发射接收电路上会使晶振的振荡幅度下降(不在峰点)，影响混频信号的信号强度与信噪。当波形出现削峰，畸变时，可增加负载电阻调整(几十K到几百K).要稳定波形是并联一个1M左右的反馈电阻。国产企业突破光刻技术，推进晶振产品向小型化、高精度趋势发展。辽宁单片机晶振

恒温控制晶体振荡器(OCXO)对于某些应用，TCXO的频率-温度稳定度指标仍无法满足要求。在这些情况下，可能需要OCXO。顾名思义，具有烤腔的振荡器将晶体加热到更高温度，但仍受控制，使得环境温度即使变化大，晶体的温度也保持稳定。由于晶体的温度和振荡器的敏感部份变化很小，频率-环境温度稳定度得到显着改善。在环境温度范围内，OCXO的稳定度可以达到0.001ppm。然而，这种稳定度的提升是以增加功耗为代价的，将热量提供给烤腔当然需要能量。典型的OCXO可能需要1到5W的功率以维持内部温度。在开机后，还需要等待温度和频率稳定的暖机时间，取决于晶体振荡器的类型，暖机时长通常从1分钟到10多分钟。江西12g有源振荡器晶振的国产替代，下游应用驱动，晶振市场回暖。

传染病过后国内厂商陆续提价，无源晶振国产替代迎来契机。对比四家晶振厂商低频及高频晶体谐振器产品参数，日本、中国台湾、大陆厂商在无源晶振领域并无明显差异。目前，中国凭借劳动力成本、市场规模优势，已经发展成为无源晶振主要制造基地。2020年传染病导致全球晶振产能减少，供需状况发生转变。3月后，中国情势已经逐步好转产能释放在即，晶振行业迎来国产替代契机。根据公开资料显示，泰晶科技等国内晶振企业已于2月20日对产品亦进行新一轮提价，中国厂商在无源领域的优势将逐步凸显。

移动终端：预计2022年国内手机厂商对晶振需求量达35.2亿颗5G带动新一波换机需求。IDC预测，2019年全球手机出货量为13.7亿部（2019年出货预计同比减少2.2%），而国内手机市场占据约30%的份额。根据中国信通院数据显示，2019年国内手机市场总体出货量为3.89亿部，同比下降6.2%。虽然目前国内手机行业已呈现饱和状态，但2020年5G商用将带动新一波换机需求，国内智能手机市场有望回暖。个手机配置的晶振数量及价值不断提升。（1）按键手机中石英晶振需2-3 颗，分别为32.768KHZ 圆柱直插晶振、49S晶振和一款5032（5.0*3.2mm）贴片晶振；（2）4G智能手机则需配置约5-6颗晶振，分别为时间显示所用的为32.768KHz晶振,蓝牙模块上16MHz贴片晶振，数据传输所用的高频圆柱直插晶振，NFC模块中使用的13.56MHz贴片晶振，以及根据手机CPU运行温度进行变更频率的26MHz 温补晶振等；（4）5G手机预计要配置6-10颗晶振，优先方案为频率为76.8MHz或者96MHz、负载电容为8-12pf的小尺寸2.0*1.6mm晶振。单个手机配置的晶振价值量不断提升。石英晶体振荡器的发展趋势。

晶振电路中为什么用22pf或30pf的电容而不用别的了，相当于三点式里面的电感，C1和C2就是电容，5404非门和R1实现一个NPN的三极管，接下来分析一下这个电路。5404必需要一个电阻，不然它处于饱和截止区，而不是放大区，R1相当于三极管的偏置作用，让5404处于放大区域，那么5404就是一个反相器，这个就实现了NPN三极管的作用，NPN三极管在共发射极接法时也是一个反相器。大家知道一个正弦振荡电路要振荡的条件是，系统放大倍数大于1，这个容易实现，相位满足360度，与晶振振荡频率相同的很小的振荡就被放大了。接下来主要讲解这个相位问题：5404因为是反相器，也就是说实现了180°移相，那么就需要C1，C2和Y1实现180°移相就可以，恰好，当C1，C2，Y1形成谐振时，能够实现180移相，这个大家可以解方程等，把Y1当作一个电感来做。也可以用电容电感的特性，比如电容电压落后电流90°，电感电压超前电流90°来分析，都是可以的。当C1增大时,C2端的振幅增强，当C2降低时，振幅也增强。有些时候C1，C2不焊也能起振，这个不是说没有C1，C2，而是因为芯片引脚的分布电容引起的，因为本来这个C1，C2就不需要很大，所以这一点很重要。接下来分析这两个电容对振荡稳定性的影响。MEMS技术用于超小型音叉晶体，使体积压缩至原有产品十分之一。青海晶体与晶振

通用型晶振紧缺，交期延长 。辽宁单片机晶振

负载电容是指晶振的两条引线连接IC块内部及外部所有有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。因为石英晶体振荡器有两个谐振频率，一个是串联揩振晶振的低负载电容晶振：另一个为并联揩振晶振的高负载电容晶振。所以，标称频率相同的晶振互换时还必须要求负载电容一至，不能冒然互换，否则会造成电器工作不正常。晶振旁的电阻(并联与串联)一份电路在其输出端串接了一个22K的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M的电阻，这是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移，整个环路的相移360度，满足振荡的相位条件，同时还要求闭环增益大于等于1，晶体才正常工作。辽宁单片机晶振

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